中国研制成功世界首台分辨力最高紫外超分辨光刻装备

11月29日，由中国科学院光电技术研究所承担的国家重大科研装备——超分辨光刻装备项目在成都通过验收，作为项目重要成果之一，中国科学家研制成功世界上首台分辨力最高的紫外超分辨光刻装备，并形成一条全新的纳米光学光刻工艺路线，具有完全自主知识产权。据介绍，中科院光电所超分辨光刻装备项目组经过近7年艰苦攻关，突破了多项关键技术，完成国际上首台分辨力最高的紫外超分辨光刻装备研制，其采用365纳米波长光源，单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米。图为中科院光电所超分辨光刻装备项目副总设计师杨勇（左）介绍装备整机。

天津消防网讯 国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”29日通过验收。该光刻机由中国科学院光电技术研究所研制，光刻分辨力达到22纳米，结合双重曝光技术后，未来还可用于制造10纳米级别的芯片。

中科院理化技术研究所许祖彦院士等验收组专家一致表示，该光刻机在365纳米光源波长下，单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米。项目在原理上突破分辨力衍射极限，建立了一条高分辨、大面积的纳米光刻装备研发新路线，绕过国外相关知识产权壁垒。

光刻机是制造芯片的核心装备，我国在这一领域长期落后。它采用类似照片冲印的技术，把母版上的精细图形通过曝光转移至硅片上，一般来说，光刻分辨力越高，加工的芯片集成度也就越高。但传统光刻技术由于受到光学衍射效应的影响，分辨力进一步提高受到很大限制。

为获得更高分辨力，传统上采用缩短光波、增加成像系统数值孔径等技术路径来改进光刻机，但技术难度极高，装备成本也极高。

项目副总设计师胡松介绍，中科院光电所此次通过验收的表面等离子体超分辨光刻装备，打破了传统路线格局，形成一条全新的纳米光学光刻技术路线，具有完全自主知识产权，为超材料/超表面、第三代光学器件、广义芯片等变革性领域的跨越式发展提供了制造工具。

据了解，这种超分辨光刻装备制造的相关器件已在中国航天科技集团公司第八研究院、电子科技大学、四川大学华西医院、中科院微系统所等多家科研院所和高校的重大研究任务中得到应用。

11月29日，由中国科学院光电技术研究所承担的国家重大科研装备——超分辨光刻装备项目在成都通过验收，作为项目重要成果之一，中国科学家研制成功世界上首台分辨力最高的紫外超分辨光刻装备，并形成一条全新的纳米光学光刻工艺路线，具有完全自主知识产权。据介绍，中科院光电所超分辨光刻装备项目组经过近7年艰苦攻关，突破了多项关键技术，完成国际上首台分辨力最高的紫外超分辨光刻装备研制，其采用365纳米波长光源，单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米。图为项目组科研人员展示通过超分辨光刻装备加工制作的功能器件。

11月29日，由中国科学院光电技术研究所承担的国家重大科研装备——超分辨光刻装备项目在成都通过验收，作为项目重要成果之一，中国科学家研制成功世界上首台分辨力最高的紫外超分辨光刻装备，并形成一条全新的纳米光学光刻工艺路线，具有完全自主知识产权。据介绍，中科院光电所超分辨光刻装备项目组经过近7年艰苦攻关，突破了多项关键技术，完成国际上首台分辨力最高的紫外超分辨光刻装备研制，其采用365纳米波长光源，单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米。图为超分辨光刻装备整机主体部分。

11月29日，由中国科学院光电技术研究所承担的国家重大科研装备——超分辨光刻装备项目在成都通过验收，作为项目重要成果之一，中国科学家研制成功世界上首台分辨力最高的紫外超分辨光刻装备，并形成一条全新的纳米光学光刻工艺路线，具有完全自主知识产权。据介绍，中科院光电所超分辨光刻装备项目组经过近7年艰苦攻关，突破了多项关键技术，完成国际上首台分辨力最高的紫外超分辨光刻装备研制，其采用365纳米波长光源，单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米。图为项目组科研人员操作装备。